نمط النضوب مقابل نمط التعزيز

2013 تبسيط علم الإلكترونيات

ستان جيبيليسكو

مؤسسة الكويت للتقدم العلمي

الفيزياء

في JFET، تقوم القناة بالتوصيل بوجود انحياز بوَّابة يساوي الصفر، أي عندما يكون لدى البوَّابة نفسُ الفولطية التي لدى المصدر ( = 0).

ومع ازدياد  (في السلبية بالنسبة لجهاز بقناة من النوع N، وفي الإيجابية بالنسبة لجهاز بقناة من النوع P)، تكبر منطقة النضوب ويصير على حوامل الشحنة أن تعبر من خلال قناةٍ متضيّقةٍ.

ندعو هذا الوضع باسم نمط النضوب. يمكن أيضاً لبعض الترانزستورات MOSFET أن تقوم بوظيفتها في نمط النضوب.

وتمثِّل الرسومُ والرموزُ التخطيطية في الشكل 6-14 البنيةَ الداخلية والرموزَ التخطيطية MOSFET بنمط النضوب.

تسمح تقانةُ نصف ناقل-أكسيد-معدن بوجود بيئةٍ كهربائيةٍ بديلةٍ تختلف بشكلٍ جوهريٍّ عن نمط النضوب. فال MOSFET بنمط التعزيز لديه قناةٌ محصورةٌ عند الانحياز المعدوم. وعلينا أن نطبِّق فولطية انحياز بوَّابة  كي نخلق قناةً في هذا النمط من الأجهزة.

إذا كانت  = 0، فعندها = 0، في حال غياب دخل إشارة. ونحن نطبِّق انحيازَ البوَّابة والإشارات من أجل تعزيز (زيادة عرض) القناة عبر المادة نصف الناقلة، وليس بهدف جعلها في حالة نضوب (تضييقها).

يُظهِر الشكل 6-14 الرمزَين التخطيطيَين MOSFET بنمط التعزيز بقناة من النوع N وMOSFET بنوع التعزيز بقناة من النوع P. ونرى أنّ الخطَّين العموديَّين الموجودَين بالجهة اليمنى داخل الرمزَين هما خطّان متقطّعان، وليسا خطَّين مستمرَين كما هو الحال في رمز MOSFET بنمط النضوب.

وهذا الفارق يسمح لنا بالتمييز بين النمطَين المختلفَين من الأجهزة عندما نراهما في الرسوم البيانية للدارات.