نمنمة الإلكترونيات بواسطة أسلوب توشيبا

1998 تقرير1996 عن العلم في العالم

KFAS

نمنمة الإلكترونيات أسلوب توشيبا الفيزياء

في 25/10/1994 أعلن الباحثون في مركز توشيبا كامبريدج وجامعة كامبريدج أنهم تمكنوا من تطوير أول عملية في العالم لصنع الدارات المتكاملة ذات المفعول الكمومي quantum-effect integrated circuits، ويعادل ذلك في أهميته اختراع الدارات المتكاملة في عام 1958، الذي أدى بعد ذلك إلى ظهور الإلكترونيات المكروية وثورة المعلومات التي تتقدم بخطى متزايدة منذ أوائل السبعينات.

ويتيح أسلوب توشيبا Toshiba process صناعة نبائط تضم الملايين من المكونات المتناهية الصغر، لا يتجاوز قطرها مجتمعة قطر عشر ذرات، على شيبة واحدة.

وتبلغ مكونات الدارة من الصغر حدًا يجعل ما بها من إلكترونات تسلك سلوك الجسيمات والموجات في آن واحد، كما تنبأت النظرية الكمومية، الأمر الذي يتيح للدارات أن تتحول بسرعة تزيد كثيرًا عليها في الشيبات التقليدية.

إن نمنمة (تصغير حجم) النبائط الإلكترونية إلى هذا المستوى يتيح بلوغ ذاكرات الحواسيب والمعالجات المكروية سرعات تصل إلى 500 ضعف السرعات التي تبلغها الشيبات السليكونية المعروفة حاليًا وإلى حجم يصل إلى جزء واحد من خمسمئة جزء من حجمها.

وعلى الرغم من نجاح مختبرات عديدة في صنع هذه المكونات المكروية، فإن عملية إنتاجها مكلفة جدًا وبطيئة. غير أن أسلوب توشيبا يتيح إنتاج هذه المكونات بأعداد هائلة.